DMN32D4SDW-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN32D4SDW-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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10000+ | $0.0672 |
30000+ | $0.063 |
50000+ | $0.0559 |
100000+ | $0.0546 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 250mA, 10V |
Leistung - max | 290mW |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 650mA |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | DMN32 |
DMN32D4SDW-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN32D4SDW-13 PDF - EN.pdf |
DIODES NA.
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN32D2LFB4-7-HN DIODES
DIODES DFN1006
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DIODES QFN
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DMN32D2LV D
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MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN32D4SDW-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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